摘要:记者了解到，SiC生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的产业链环节是衬底、外延、器件与模组。事实上，在国际上美国科锐（Cree）公司一直处于SiC晶体材料和器件乃至整个SiC半导体行业的垄断地位
本报见习记者 吴文婧
2019年以来，露笑科技在主业盈利能力不断改善的情况下，把握住了转型升级的机遇，碳化硅产业布局已经取得了实质性进展。
12月12日晚间，露笑科技公告称，截至12月12日，公司已向国宏中宇顺利交付2台碳化硅长晶设备，设备已投入使用，使用情况良好。根据此前签订的合同，露笑科技全资子公司露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备，该合同总金额为1.26亿元。
露笑科技董秘李陈涛向《证券日报》记者表示：“公司多年研发蓝宝石长晶炉积累了经验及技术和人才储备，为研发和生产碳化硅长晶设备提供了足够的支持。”据悉，目前露笑蓝宝石已经收到国宏中宇及其产业化公司的长晶设备定金及预付款共计3000万元，其余长晶设备将于2020年3月份后开始陆续分批交付。
与其他企业合作
打造行业领军企业
就在11月26日晚，露笑科技公告称与中科钢研、国宏中宇正式签署了碳化硅项目的战略合作协议，协议期限为2年，各方将密切合作打造世界级的第三代半导体材料领军企业。
协议中指出，将由中科钢研主导工艺技术与设备研发工作，国宏中宇主导产业化项目建设、运营与市场销售工作，露笑科技主导设备制造、项目投融资等工作并全程深入参与各项工作。
“中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面研发成果显著，露笑科技则在晶体生长设备设计及装备制造上有先进技术与丰富经验，优势互补，我们将共同研发适用于中科钢研工艺技术要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备。”李陈涛告诉记者。
此外，根据国宏中宇碳化硅产业化项目的近期发展规划，露笑科技及其控股企业将于2020年前为其定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元。
数据显示，今年前三季度，露笑科技实现净利润2.22亿元，同比增长71.43%，业绩增幅明显；其中，第三季度净利润7075.18万元，同比增长125.28%，环比二季度盈利能力更有明显改善。
据悉，为了适应5G通讯市场对于高性能、高频HEMT器件需求的快速增长，中科钢研、国宏中宇已开展高纯半绝缘型碳化硅材料研发并取得了积极进展。李陈涛提到，公司通过与中科钢研、国宏中宇的紧密合作，将加速企业切入5G通讯行业核心关键材料的供货领域，实现产业的升级转型。
碳化硅材料产业部署
抢占5G通讯时代主动权
有业内专家指出，碳化硅（SiC）器件有禁带宽度大、电子迁移率高、耐高温性好等特性，其材料及器件的研究对于5G通讯具有重要意义，是需要进一步发展的核心技术。
“公司一直以来都在研究新材料技术及装备，在2年前就已将发展目光转向了目前备受关注的碳化硅材料领域。”李陈涛向《证券日报》记者表示,“就目前来看，碳化硅器件已经在5G通信、新能源汽车、高速轨道交通等领域已经广泛应用。”
公开资料显示，华为也已经加入了布局第三代半导体材料的队伍，其通过旗下的哈勃投资参股了以研发碳化硅为主的半导体材料公司山东天岳先进材料科技有限公司。
记者了解到，SiC生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的产业链环节是衬底、外延、器件与模组。事实上，在国际上美国科锐（Cree）公司一直处于SiC晶体材料和器件乃至整个SiC半导体行业的垄断地位，早在2012年，Cree已经开始推出6英寸的SiC衬底产品，2016年，Cree就可提供8英寸N型SiC衬底。
值得一提的是，此次露笑科技与战略合作方将共同建设碳化硅衬底片加工中心，应用最新一代碳化硅衬底片加工技术，主要是满足国内外快速增长的6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片加工需求，不断提升的衬底片质量与成品率水平。
此外，露笑科技等三方还将在高纯半绝缘型碳化硅长晶炉、高纯半绝缘型碳化硅衬底片加工制造等方面开展深入合作，以尽快成为5G通讯行业核心关键材料的主要供货企业。