三星电子已成功开发出业界首款3奈米GAA制程技术，副会长李在镕周四(1月2日)访问了华城晶片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
BusinessKorea、韩国先驱报报导，三星电子新开发的3奈米GAA制程技术，有望协助公司达成「2030年半导体愿景」(即于2030年在系统半导体、记忆体晶片领域成为业界领导者)。GAA是当前FinFET技术的升级版，可让晶片商进一步缩小微晶片体积。
李在镕2日访问了华城晶片厂，听取3奈米制程技术的研发简报，并跟装置解决方案(device solutions, DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。
跟5奈米相较，采用3奈米GAA制程技术的晶片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%，但运算效能却能拉高30%。三星计画在2022年量产3奈米晶片。
三星去(2019)年发布了133兆韩圜(相当于1,118.5亿美元)的投资计划，目标是在2030年成为全球顶尖的系统单晶片(SoC)制造商。
前五大半导体商支出占比冲历史高
科技市调机构IC Insights 2019年11月5日发表研究报告指出，三星、英特尔(Intel)、台积电(2330)、海力士(SK Hynix)及美光(Micron)这五家资本支出在半导体业名列前茅的厂商，2019年对整体产业的支出占比上看68%，超越之前在2013年、2018年的历史高峰。
三星、台积电2019年一开始的支出虽相对偏低，但Q2就开始温和扩张，两家公司也都在Q3财报电话会议上宣布，Q4资本支出将拉升至历史新高水位。其中，台积电Q4资本支出预定会季增64%至51.47亿美元、创单季历史新高，较前次2014年Q1的历史纪录(37.99亿美元)多出36%。
三星也宣布，2019年Q4半导体支出将刷新单季历史高，多数资本支出将用来打造记忆体基础建设、因应中长期需求。其Q4资本支出预计会季增81%至79亿美元，较2017年Q4的前次历史高(68.77亿美元)多出15%。