三星电子预料明年景气将复苏，据传要增加DRAM、NAND flash、晶圆代工产能，准备借此冲刺市占，扩大和竞争对手的差距。
韩国时报报导，美系资产组合经理人23日表示：「（增产理由是）明年全年DRAM、NAND将严重短缺，带动价格和获利复苏」。他说，三星正与零件供应商讨论，准备下单。据了解三星DRAM的每月晶圆产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。
增加产能主要在三星韩国平泽工厂。三星第三季财报会议表示，內存芯片库存回到合理水位，该公司接到更多高利润的服务器订单，预料市况将出现「有意义的逆转」。NH Investment分析师DoHyun-woo说：「三星会积极生产NAND內存，不过将对DRAM维持保守态度。由于晶圆代工芯片将短缺，明年三星至少会对平泽厂和美国得州奥斯汀厂投资10兆韩圜」。
该资产组合经理人透露：「一般认为三星不会大幅增加內存的晶圆产能，以免重蹈2018年复辙，这次的上行循环中，（三星）增产作法将更理性。三星调整策略，可能是要趁数位变化、供给收紧时，抢下更大市占」。
三星优势松动？美光率先推176层NAND
三星电子在NAND flash內存的领先地位松动？美国內存大厂美光（Micron）超车三星，抢先发布了176层的NAND flash。据悉三星苦苦追赶，希望能在明年推出160层或176层的NAND flash。
The Motley Fool先前报导，周一（9日）美光宣布，研发出业界首见的176层NAND flash，已经进入量产，并出货给客户。据了解业界领袖三星仍停留128层，正加紧研发，打算在2021年4月之前，推出160层或176层NAND flash。
美光的NAND市占只有三星的1/3，却捷足先登、率先研发出176层科技。176层NAND flash比128层多了近40%，是重大领先优势，美光有望取得更多获利。