三星电子(Samsung Electronics Co.)晶圆代工产品传出发现瑕疵。韩媒爆料，今(2019)年稍早，三星第一代10奈米(1x奈米) DRAM产品就曾出现过问题，这次则是晶圆代工业务出包，恐伤及三星的业界信誉。
BusinessKorea 8日报导，三星南韩器兴(厂，因为8吋矽晶圆生产线采用了受到污染的设备，导致产品出现瑕疵。一名三星高层坦承，的确发现瑕疵品，但制程已获修正，损害规模估计有上亿韩圜。
然而，部分专家直指损害规模也许远多于三星预估。一名业界人士透露，「就我所知，三星并未计算出真正的亏损金额，可能会远比官方估计还多。」
晶圆代工产品传出包，恐打击公司信誉，对正在积极投资晶圆代工事业，希望能在2030年夺下业界冠军的三星而言，伤害恐怕不小。
三星今年Q4半导体支出将刷新单季历史高
科技市调机构IC Insights 11月5日发表研究报告指出，三星今年Q4多数资本支出将用来打造记忆体基础建设、因应中长期需求。其Q4资本支出预计会季增81%至79亿美元，较2017年Q4的前次历史高(68.77亿美元)多出15%。
若以今年一整年来看，三星的半导体资本支出将年减8%至199亿美元。不过，该公司2017年、2018年与2019年的半导体合并资本支出将达到658亿美元，比英特尔(Intel Corp.)多出53%，是同期间内支出次高的业者。不只如此，三星2017-2019年合计658亿美元的半导体资本支出，也会较所有中国本土半导体商的合并支出(308亿美元)高出一倍以上。
看来，三星对于持续领先中国记忆体新创公司、以及与台积电(2330)的先进制程竞赛，态度都非常认真。